| 型號(hào)： |
SH8J66TB1 |
| 廠商： |
Rohm Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/6頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
xTB1 Series SOP-8
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| 特色產(chǎn)品： |
ECOMOS? Series MOSFETs
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個(gè) P 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
9A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
18.5 毫歐 @ 9A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
35nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
3000pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
2W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-SOP
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
SH8J66TB1DKR
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