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參數(shù)資料
| 型號： | SI-E8000-3600-4 |
| 廠商： | SEMIKRON |
| 英文描述： | High voltage rectifiers |
| 中文描述： | 高壓整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | SI-E8000-3600-4 |
High voltage rectifiers
Si-E 8000_3600-1,8
Forward Current: 1,8 A
Reverse Voltage: to 24000 V
Features
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Typical Applications
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Mechanical Data
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A8
*** I+-
A8
Dimensions in mm
7
Si-E 8000_3600-1,8
1
11-11-2005 SCT
by SEMIKRON
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3861 | Integrated Load Switch |
| SI3861DV | GT 8C 8#16 SKT RECP WALL |
| SJ-1420 | CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS |
| SJ-A1420-FREQ | CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS |
| SJ-A1421-FREQ | CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI-E8000-3600-4_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:High voltage rectifiers |
| SI-E8000-4 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:High Voltage Silicon Rectifier Diodes |
| SIE800DF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE800DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIE800DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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