| 型號(hào)： | SI1025X-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 個(gè) P 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 190mA |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 1.7nC @ 15V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 23pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-563，SOT-666 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SC-89-6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SI1025X-T1-GE3DKR |