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參數(shù)資料
型號: SI1046X-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3
產(chǎn)品目錄繪圖: SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 420 毫歐 @ 606mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.49nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 66pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-89,SOT-490
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-89-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI1046X-T1-GE3DKR
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