| 型號： | SI1065X-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | X-T1-E3 Series SOT-563 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 12V |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫歐 @ 1.18A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 236mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-563，SOT-666 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SC-89-6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SI1065X-T1-GE3DKR |