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參數(shù)資料
型號: SI1067X-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫歐 @ 1.06A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 375pF @ 10V
功率 - 最大: 236mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-89-6
包裝: 帶卷 (TR)
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