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參數(shù)資料
型號(hào): SI1071X-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 1/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 960MA SC89-6
產(chǎn)品目錄繪圖: X-T1-E3 Series SOT-563
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 167 毫歐 @ 960mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.45V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.64nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 315pF @ 15V
功率 - 最大: 236mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-89-6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng): SI1071X-T1-GE3DKR
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