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參數(shù)資料
型號(hào): SI1302DL-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 7/9頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 600mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 480 毫歐 @ 600mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
功率 - 最大: 280mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70,SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI1302DL-T1-GE3DKR
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