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參數資料
型號: SI1426DH-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 4/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫歐 @ 3.6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝: SC-70-6
包裝: 標準包裝
其它名稱: SI1426DH-T1-GE3DKR
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