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參數(shù)資料
型號(hào): SI1563EDH-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 10/14頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.13A,880mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 280 毫歐 @ 1.13A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
功率 - 最大: 570mW
安裝類型: *
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 帶卷 (TR)
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