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參數(shù)資料
型號: SI2302CDS-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
產(chǎn)品目錄繪圖: SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 57 毫歐 @ 3.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 850mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
功率 - 最大: 710mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3(TO-236)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI2302CDS-T1-GE3DKR
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