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參數(shù)資料
型號: SI2367DS-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 66 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 561pF @ 10V
功率 - 最大: 1.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3(TO-236)
包裝: 帶卷 (TR)
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