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參數資料
型號: SI3442CDV-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 6/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫歐 @ 6.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 335pF @ 10V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 標準包裝
其它名稱: SI3442CDV-T1-GE3DKR
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