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參數資料
型號: SI3443DV
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 2/5頁
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描述: MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
產品變化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫歐 @ 4A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝: 6-SSOT
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI3443DVFSDKR
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