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參數資料
型號: SI3445DV-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 9/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫歐 @ 5.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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