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參數資料
型號: SI3460BDV-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 9/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫歐 @ 5.1A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 860pF @ 10V
功率 - 最大: 3.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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