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參數(shù)資料
型號: SI3981DV-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 185 毫歐 @ 1.9A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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