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參數(shù)資料
型號(hào): SI4170DY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 毫歐 @ 15A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.6V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4355pF @ 15V
功率 - 最大: 6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI4170DY-T1-GE3DKR
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