| 型號： | SI4190ADY-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 100V 18.4A SO8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 18.4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1970pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 6W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SI4190ADY-T1-GE3DKR |