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參數(shù)資料
型號(hào): SI4214DY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23.5 毫歐 @ 7A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 785pF @ 15V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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