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參數資料
型號: SI4390DY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/9頁
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描述: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
標準包裝: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫歐 @ 12.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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