| 型號(hào)： | SI4435DY |
| 廠商： | International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫歐 @ 8A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2320pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | *SI4435DY |