型號: | Si4442DY |
廠商: | National Semiconductor Corporation |
英文描述: | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
中文描述: | N溝道場效應管同步降壓穩壓控制器輸出電壓低 |
文件頁數: | 1/22頁 |
文件大小: | 602K |
代理商: | SI4442DY |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SIDC03D60C6 | Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology |
SIDC03D60F6 | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
SIDC04D60F6 | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
SIDC06D120E6 | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
SIDC06D60AC6 | Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
SI4442DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4442DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4442DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4442DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4446DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |