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參數(shù)資料
型號(hào): SI4448DY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 8/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 毫歐 @ 20A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 150nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 12350pF @ 6V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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