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參數資料
型號: SI4465ADY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 10/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫歐 @ 14A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 85nc @ 4.5V
功率 - 最大: 3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 標準包裝
其它名稱: SI4465ADY-T1-GE3DKR
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