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參數資料
型號: SI4565ADY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 5/15頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
標準包裝: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 6.6A,5.6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 39 毫歐 @ 5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 625pF @ 20V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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