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參數資料
型號: SI4622DY-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/15頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
標準包裝: 2,500
系列: SkyFET®, TrenchFET®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 9.6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2458pF @ 15V
功率 - 最大: 3.3W,3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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