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參數(shù)資料
型號: SI4812BDY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: LITTLE FOOT®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 9.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI4812BDY-T1-GE3DKR
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