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參數資料
型號: SI4866BDY-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 21.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.3 毫歐 @ 12A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5020pF @ 6V
功率 - 最大: 4.45W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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