| 型號(hào)： | SI4966DY-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫歐 @ 7.1A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |