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參數資料
型號: SI5481DU-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫歐 @ 6.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1610pF @ 10V
功率 - 最大: 17.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? CHIPFET? 單
供應商設備封裝: PowerPAK? ChipFET 單通道
包裝: 帶卷 (TR)
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