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參數(shù)資料
型號: SI5485DU-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 5.9A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 42nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 10V
功率 - 最大: 31W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? CHIPFET? 單
供應商設備封裝: PowerPAK? ChipFET 單通道
包裝: 帶卷 (TR)
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