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參數(shù)資料
型號(hào): SI5513CDC-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 7/16頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A,3.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 55 毫歐 @ 4.4A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 285pF @ 10V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 1206-8 ChipFET?
包裝: 帶卷 (TR)
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