| 型號： | SI5519DU-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數： | 12/14頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET |
| 產品目錄繪圖： | PowerPAK ChipFET Dual |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 6A，4.8A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫歐 @ 6.1A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.27W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? CHIPFET? 雙 |
| 供應商設備封裝： | PowerPAK? ChipFet 雙 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SI5519DU-T1-GE3DKR |