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參數資料
型號: SI5935DC-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 6/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 86 毫歐 @ 3A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝: 1206-8 ChipFET?
包裝: 帶卷 (TR)
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