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參數(shù)資料
型號(hào): SI5943DU-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 4/9頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 64 毫歐 @ 3.6A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 460pF @ 6V
功率 - 最大: 8.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? CHIPFET? 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? ChipFet 雙
包裝: 帶卷 (TR)
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