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參數資料
型號: SI6413DQ-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 7.2A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫歐 @ 8.8A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 5V
功率 - 最大: 1.05W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝: 8-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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