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參數資料
型號: SI6467BDQ-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 8/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 6.8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 850mV @ 450µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.05W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝: 8-TSSOP
包裝: 標準包裝
其它名稱: SI6467BDQ-T1-GE3DKR
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