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參數(shù)資料
型號: SI6924AEDQ-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 3/12頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 28V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫歐 @ 4.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI6924AEDQ-T1-GE3DKR
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