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參數(shù)資料
型號(hào): SI6966EDQ-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫歐 @ 5.2A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 600mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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