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參數(shù)資料
型號(hào): SI6975DQ-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 8/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.3A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫歐 @ 5.1A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
功率 - 最大: 830mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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