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參數資料
型號: SI7107DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/12頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
產品目錄繪圖: DN-T1-E3 Series 1212-8
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 9.8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.8 毫歐 @ 15.3A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 450µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI7107DN-T1-GE3DKR
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