| 型號： |
SI7222DN-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
14/14頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
2 個 N 溝道（雙）
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
40V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
42 毫歐 @ 5.7A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
1.6V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
29nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
700pF @ 20V
|
| 功率 - 最大： |
17.8W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
PowerPAK? 1212-8 雙
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? 1212-8 Dual
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
SI7222DN-T1-GE3DKR
|