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參數資料
型號: SI7413DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 6/12頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8.4A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 15 毫歐 @ 13.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 帶卷 (TR)
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