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參數(shù)資料
型號(hào): SI7457DP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 9/9頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 28A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫歐 @ 7.9A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5230pF @ 50V
功率 - 最大: 83W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)
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