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參數資料
型號: SI7812DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 13/14頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 75V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 37 毫歐 @ 7.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 840pF @ 35V
功率 - 最大: 52W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 標準包裝
其它名稱: SI7812DN-T1-GE3DKR
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