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參數(shù)資料
型號(hào): SI7872DP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: LITTLE FOOT®
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.4A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫歐 @ 7.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI7872DP-T1-GE3DKR
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