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參數(shù)資料
型號(hào): SI7913DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 4/12頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 37 毫歐 @ 7.4A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI7913DN-T1-GE3DKR
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