| 型號： | SI7940DP-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 12V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫歐 @ 11.8A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? SO-8 雙 |
| 供應商設備封裝： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |