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參數資料
型號: SI7940DP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC
產品目錄繪圖: 8-SOIC Mosfet Package
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 7.6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫歐 @ 11.8A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI7940DP-T1-GE3DKR
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